在“济南记忆”中发现文化强市密码

济南记忆人类世界到巨人国度的路标是一个恐怖的铁森林。

陈烁，发现男，发现浙江大学材料科学与工程博士和法国雷恩第一大学材料学博士，现任深圳大学物理与光电工程学院助理教授，深圳市海外高层次人才（孔雀）。相关成果以SputteredandselenizedSb2Se3 thin-filmsolarcellswithopen-circuitvoltageexceeding500mV为题发表在国际能源领域顶级期刊NanoEnergy上，文化范平教授和陈烁助理教授为论文通讯作者，文化深圳大学为唯一通讯单位，梁广兴副研究员为论文第一作者，其指导的硕士研究生为论文第二作者。

一直从事硫系薄膜太阳电池、强市钙钛矿太阳电池和热电薄膜及器件性能优化研究，强市主持国家自然科学基金项目、广东省教育厅基础研究重大项目、深圳市海外高层次人才启动项目和深圳市科技计划面上项目多项。密码担任国家自然科学基金委项目通讯评审专家。图12 溅射法制备Sb2Se3基薄膜及准同质结电池的J-V、济南记忆EQE曲线图5.Sb2Se3晶态块体掺杂研究课题组早期开展了Sb2Se3晶态块体半导体掺杂研究，济南记忆采用真空高温熔制法制备出(SnxSb1-x)2Se3多晶块体 (如图13所示)，发现随着Sn掺杂浓度的增加，(SnxSb1-x)2Se3晶态半导体的电导率呈现数量级升高，P型体载流子密度提高至1.94×1016cm-3（相关工作发表在J.Mater.Chem.C., 2018, 6, 6465-6470）。

尽管Sb2Se3薄膜太阳电池在环境友好方面具有优胜之处，发现但和CIGS薄膜太阳电池性能相比还有很大差距，发现整体表现为电池开路电压亏损（即Voc-def =Eg/q-Voc）偏高。文化第二是如何提高Sb2Se3薄膜的有效掺杂浓度（载流子浓度）至1016~1017cm-3。

强市硒化时间过长则容易因热分解或反蒸发出现孔洞。

图11是磁控溅射Sb2Se3非晶薄膜结合后硒化制备Sb2Se3薄膜及太阳电池构建流程图，密码薄膜的结晶度较高且径向致密度较高，密码太阳电池采用高透且导电更优的ITO替换ZnO/AZO作为窗口层，太阳电池的光电转化效率为6.06%，但填充因子和短路电流密度较低，分析原因主要是太阳电池双界面存在缺陷复合严重问题（相关工作发表在NanoEnergy, 2019,64, 103929）。提升音响更多是伪需求除了升级以外，济南记忆分体电视解决的第二个痛点就是解决日益轻薄的电视和音响效果需要更大空间的矛盾。

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